2027年3月から受け入れ開始予定
ESD(ElecroStatic Discharge：静電気放電)試験とは静電気放電による事故を防止、管理するために、静電気耐性を確認、評価する試験です。
HBM(Human Body Model ：人体帯電モデル)
人体に蓄積された静電気の放電（ESD）によってデバイスが損傷する現象
CDM(Charged Device Model：デバイス帯電モデル)
デバイスが直接、間接に帯電し、電位の異なった導体と端子が接触したときに発生する静電気放電にてデバイスが損傷する現象
ケミトックスでは国内外の公的試験規格（ページ下表）に準拠したESD試験に対応しており、必要な専用試験ボードの作製やソケットの手配から承ります。
試験装置のI-V機能を活用した実力確認試験も承ります。（当社保有のテスタやカーブトレーサでの合否判定も可能）
| 【仕様】 HBM：最大8kV、CDM：最大4kV |
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| 試験方法 | 準拠規格 | |||
| 日本 | 米国 | |||
| 一般 | 車載 | |||
| 人体モデル HBM：Human Body Model |
JEITA ED4701／302A 試験方法304A |
ANSI/ESDA/JEDEC JS-001（2024） |
AEC-Q100-002-Rev-J(2023) AEC-Q101-Rev-E(2021) |
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| デバイス帯電モデル Charged Device Model |
誘電帯電法 Field Induced CDM |
JEITA ED4701／302A 試験方法305D |
ANSI／ESDA／JEDEC JS-002（2025） |
AEC-Q100-011Rev-D（2019） |
| 直接帯電法 Direct CDM |
– | – （AEC-Q100-011-Rev-DではDirect CDMを削除） |
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ラッチアップ(Latch-up)試験
半導体部品の1つであるCMOSデバイスは、構造上デバイス内部にバイポーラ型の寄生トランジスタ回路が構成され、それがサイリスタと同じ構成になることから、外来サージ等でトリガされると、このサイリスタがターンオンし、過電流が流れ続け、素子破壊の原因となります。ラッチアップ試験とは、この過大な電流が流れ続けるラッチアップ現象に対する耐性を評価するための試験です。
【仕様】
パルス電流注入法トリガ電流：±1A
電源過電圧法トリガ電圧：±100V
パルス幅：2msec～1000msec
お問い合わせ先
担当：須藤 正喜
TEL: 03-3727-7111
| ご依頼の際は下記の試験依頼書にご記入のうえ、担当者にご送付ください。 | |
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