評価用パワーデバイス試作・評価サービス

SiC系に代表される次世代パワーデバイスの発展には、半導体チップ・ダイのみならず、その周辺材料の改良が必要となります。特に、運用温度300℃を可能とするSiC系デバイスでは、高耐熱材料の開発が必須とされています。また、更なるパワーデバイスの普及に向け、既存のSi系デバイス用材料のコストダウンが要求されています。
パワーデバイス材料の性能を評価する試験方法は、パワーサイクル試験が代表的ですが、これは実際にパワーデバイスの構造でなければ試験ができません。折角、優良なパワーデバイス材料を開発したが、肝心のデバイスを組み上げられずに、評価を行うことができない・・・。
ケミトックスではそのようなニーズにお応えし、この度、評価用パワーデバイスの試作サービスを開始しました。お客様の開発した材料を、パワーデバイスの構造に組み込み、各種の評価試験を可能とします。貴社製品の性能評価、カタログスペック用データ取得にご活用下さい。

お問い合わせ先
担当：住田　智希
TEL:03-3727-7111　FAX:03-3728-1710