評価用パワーデバイス試作・評価サービス

SiC系に代表される次世代パワーデバイスの発展には、半導体チップ・ダイのみならず、その周辺材料の改良が必要となります。特に、運用温度300℃を可能とするSiC系デバイスでは、高耐熱材料の開発が必須とされています。また、更なるパワーデバイスの普及に向け、既存のSi系デバイス用材料のコストダウンが要求されています。
パワーデバイス材料の性能を評価する試験方法は、パワーサイクル試験が代表的ですが、これは実際にパワーデバイスの構造でなければ試験ができません。折角、優良なパワーデバイス材料を開発したが、肝心のデバイスを組み上げられずに、評価を行うことができない・・・。
ケミトックスではそのようなニーズにお応えし、この度、評価用パワーデバイスの試作サービスを開始しました。お客様の開発した材料を、パワーデバイスの構造に組み込み、各種の評価試験を可能とします。貴社製品の性能評価、カタログスペック用データ取得にご活用下さい。

　

お問い合わせ先
担当：住田　智希
TEL:03-3727-7111　FAX:03-3728-1710

エレクトロニクス実装技術に原稿が掲載されました。
2020年1月号「パワーデバイスの信頼性評価の概要 ～パワーサイクル試験の技術解説～」 2020年4月号「パワーデバイスの信頼性評価の概要２ ～パワーデバイス材料の性能評価～」 2020年7月号「パワーデバイスの信頼性評価の概要３ ～封止材のパワーサイクル耐性の評価～」 2020年9月号「パワーデバイスの信頼性評価の概要４ ～パワーサイクル試験、エレベータ式熱衝撃試験、高温高湿バイアス試験～」