電気特性(静特性)測定
2027年1月から受け入れ開始予定
半導体テストの一環として、トランジスタやダイオードなどの各種半導体デバイスの電気特性(静特性)測定サービスを提供しています。ホットプレートと組み合わせることで、室温から高温までの幅広い温度環境下での測定が可能です。
ケミトックスでは、各種試験と組み合わせて、試験前後における電気特性取得も可能です。
【仕様】
最大ピーク電圧：3,000V、最大ピーク電流：1,000A
- 対応可能なサンプル例
TO-PKGなどのディスクリートデバイス、ケース型モジュールなどの半導体素子 - 測定可能なパラメータ(MOSFETの場合)
ゲートしきい値VGS(th)、ドレイン-ソース間降伏電圧V(BR)DSS、ドレイン遮断電流IDSS、ゲート漏れ電流IGSS、ドレイン-ソース間オン抵抗RDS(on)など
電気特性(動特性)測定
2027年1月から受け入れ開始予定
トランジスタやダイオードなどの各種半導体デバイスの電気特性(動特性)測定サービスを提供しています。パワーデバイスのON/OFF特性を確認するダブルパルス試験や実際のスイッチング動作時におけるデバイスの限界を評価するアバランシェ(UIS)試験はパワーデバイスの設計・評価に必須です。
【仕様】
オシロスコープ(4ch)：500MHz、2.5GS/s、12.5Mポイント
- 対応可能なサンプル例
TO-PKGなどのディスクリートデバイス、ケース型モジュールなどの半導体素子 - 対応可能な試験例
アバランシェ(UIS)試験、ダブルパルス試験 など
アバランシェ(UIS)試験回路図、試験波形
ダブルパルス試験回路図、試験波形
お問い合わせ先
担当：須藤 正喜
TEL： 03-3727-7111
| ご依頼の際は下記の試験依頼書にご記入のうえ、担当者にご送付ください。 | |
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