パワーデバイスの高温(高湿)逆バイアス試験
SiCに代表される次世代パワー半導体チップを用いたパワーデバイスの耐圧評価にはパワー半導体チップに試験電圧(バイアス)を印加するバイアス試験を行います。絶縁を司るゲート絶縁膜等の耐圧性能を評価する場合コレクタ(C)~エミッタ(E)もしくはドレイン(D)~ソース(S)にバイアスを設けこれを「逆バイアス試験」と呼びます(図1参照)。なお”電流が流れにくい方向に電圧を加えること” を”逆バイアス”と定義するため電場の向きは回路構成により変化します。
逆バイアス試験には、高温下で行う「高温逆バイアス試験」と、高温高湿下で行う「高温高湿逆バイアス試験」があります。いずれの場合でも、高耐圧のパワーデバイスを評価する場合、数百~数千Vもの非常に大きなバイアスを負荷します。なおかつ、試験対象となるパワーデバイスの故障状況を検出するため、パワーデバイスに流れる微小電流を精度よく検出する必要があります。
ケミトックスでは「電圧印加電源」と「微小電流検出機構」が一体化した、専用のバイアステスター(600ch保有)を用いて逆バイアス試験を行っています。表1に示す通り、大きな最大印加電圧と高精度な電流計測を可能とします。最大の特長は、微小電流の常時モニタを可能としており、試験中のパワーデバイスの故障状況の微細な変化を逃さず検出できる点です。図2に示すような電流値の挙動から、故障状況を推測する重要な情報を得ることが可能です。パワーデバイスの性能評価に、是非弊社の高精度な試験サービスをご利用下さい。
ケミトックスでは「電圧印加電源」と「微小電流検出機構」が一体化した、専用のバイアステスター(600ch保有)を用いて逆バイアス試験を行っています。表1に示す通り、大きな最大印加電圧と高精度な電流計測を可能とします。最大の特長は、微小電流の常時モニタを可能としており、試験中のパワーデバイスの故障状況の微細な変化を逃さず検出できる点です。図2に示すような電流値の挙動から、故障状況を推測する重要な情報を得ることが可能です。パワーデバイスの性能評価に、是非弊社の高精度な試験サービスをご利用下さい。