パワーサイクル試験/過渡熱抵抗測定(T3STER)
最大負荷電流2400A対応
パワーデバイスに電力をON/OFFと周期的に加えた場合の、電気的あるいは発熱―冷却の繰り返し耐久性を評価します。過渡熱抵抗測定機構(T3STER)を組み込んでおり、チップ-基板-メタルベース板間のはんだ接合部、Alワイヤ接合部断線などの故障現象を非破壊で検出します。TO247パッケージやIPM、ケース型のシリコン(Si)、シリコンカーバイド(SiC)、窒化ガリウム(GaN)、酸化ガリウム(Ga2O3)などの半導体チップが搭載されたパワーデバイスやPCU(パワーコントロールユニット)や直接冷却型のデバイスにも対応可能です。
【スペック】
(1号機)最大負荷電流：1800A(MAX)/保有ch：12ch/計測可能電圧：12V
(2号機)最大負荷電流：2400A(MAX)/保有ch：16ch/計測可能電圧：12V
(3号機)最大負荷電流：2400A(MAX)/保有ch：16ch/計測可能電圧：12V
(4号機)最大負荷電流：1800A(MAX)/保有ch：12ch/計測可能電圧：12V New!!
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規格一覧表
| 試験名 | 規格番号 | 規格名 | 対象製品など |
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| パワーサイクル試験/過渡熱抵抗測定(T3STER) | IEC60749-34 | Semiconductor devices – Mechanical and climatic test methods – Part 34: Power cycling | パワー半導体デバイス |
| AQG-324 | Qualification of Power Modules for Use in Power Electronics Converter Units (PCUs) in Motor Vehicles | パワー半導体デバイス/電気自動車(PV/EV)向けPCU | |
| JEITA ED-4701/600 | 半導体デバイスの環境及び耐久性試験方法(個別半導体特有の試験) | パワー半導体デバイス | |
| 過渡熱抵抗測定 (T3STER) |
JESD 51-1/ JESD 51-14 |
Transient Dual Interface Test Method for the Measurement of the Thermal Resistance Junction-to-Case of Semiconductor Devices with Heat Flow Through a Single Path | パワー半導体デバイス |
お問い合わせ先
担当：須藤 正喜
TEL:03-3727-7111 FAX:03-3728-1710
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