パワーデバイス評価

パワーデバイス信頼性試験

パワーデバイス信頼性試験サービスを本格的に開始

近年市場が急速に拡大しつつある自動車業界では、EV/PHEV車の開発が激化し、車内の電動駆動システムの小型化や軽量化、CO2排出量の削減を見据えた更なる省エネ化が要求されています。インバーター、モーターの小型化・低損失化のキーデバイスであるパワーデバイスの需要は高まる一方であり、従来のSi系IGBTから次世代材料のSiC系、GaN系モジュールまで、品質水準・信頼性要求は厳しいものとなっています。ケミトックスではこの度、パワーデバイス各種信頼性試験設備を導入し、パワーデバイス信頼性試験サービスを開始致しました。各試験設備の一部は交通の便のよい東京本社に設置しております。試験の立会、見学に是非弊社へお越しください。

パワーサイクル試験/過渡熱抵抗測定(T3Ster)

過渡熱抵抗測定機構(T3Ster)を組み込んでおり、半導体チップ周辺の構造、チップ-基板-メタルベース板の接合部、はんだ・Alワイヤ接合部クラックなどの故障現象を非破壊で検出します。

冷熱サイクル試験(熱衝撃試験)

半導体チップ周辺のクラック現象だけでなく、封止樹脂や接合材料、はんだクラック、パッケージクラック、Alスライドを含めたパワーデバイス全体の耐久性を評価します。

高温高湿バイアス試験(高電圧マイグレーション試験)

電界や水分による絶縁リーク電流の増加、ゲートリーク電流の増加、ゲート絶縁膜の破壊、配線間イオンマイグレーションの計測から、絶縁膜の破壊絶縁膜の継時破壊、金属膜配線の電界腐食などの故障現象を検出します。

複合環境振動試験

規定の振動試験条件に曝し、Alワイヤ断線、パッケージクラックの発生を実使用環境に基づいたセッティングを再現し、3軸方向に対して評価します。

パワーデバイス信頼性評価

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お問い合わせ先
担当:住田 智希
TEL:03-3727-7111 FAX:03-3728-1710
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