パワーデバイス評価

高温高湿バイアス試験(高電圧マイグレーション試験)

高温高湿バイアス試験(高電圧マイグレーション試験)

最大負荷電圧3kV対応

高電圧マイグレーション試験とも呼ばれ、パワーデバイスを高温高湿雰囲気中で使用した場合の耐久性を評価します。電界や水分による絶縁リーク電流の増加、ゲートリーク電流の増加、ゲート絶縁膜の破壊、配線間イオンマイグレーションの計測から、絶縁膜の破壊絶縁膜の継時破壊、金属膜配線の電界腐食などの故障現象を検出します。【スペック】
温度範囲:常温~300℃
湿度範囲:常湿~98%RH
最大印加電圧:3kV
最大電流測定範囲:3.2mA
分解能:10nA
計測可能ch数:8ch
絶縁抵抗値常時モニタ可能
高電圧マイグレーション 絶縁抵抗値プロファイル

高電圧マイグレーションテスタ

お問い合わせ先
担当:住田 智希
TEL:03-3727-7111 FAX:03-3728-1710

パワーデバイス評価 お問い合わせ
評価・業務案内一覧

規格一覧表

試験名 規格番号 規格名 対象製品など
高温高湿バイアス試験
(高電圧マイグレーション試験)
JEITA ED4701/100A 半導体デバイスの環境及び耐久性試験方法(寿命試験Ⅰ) パワー半導体デバイス
JEITA ED4701/200A 半導体デバイスの環境及び耐久性試験方法(寿命試験Ⅱ) パワー半導体デバイス
JEITA ED4704A LSI半導体デバイスのウェハプロセスの信頼性試験方法 MOSFET